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要了解电荷密度波(CDW)阶段内基于V的Kagome金属中的多阶段过渡,我们专注于“混合型”费米表面的影响,因为它在CDW状态下在“纯型” Fermi表面上完好无损。在混合型费米表面,中等自旋相关性上发展,我们揭示了均匀(q = 0)键顺序是由paramagnon干扰机制引起的,这是由Aslamazov-larkin顶点校正描述的。主要的解决方案是E 2 G-对称性命名秩序,其中可以任意旋转主管。另外,我们获得了A 1 g式对称顺序,该顺序导致晶格常数的变化而没有对称性破裂。可以通过弹性测量值观察到q = 0处的预测的E 2 g和1 g通道的流动。这些结果可用于了解2×2 CDW相内的多阶段过渡。目前的理论具有一般性的意义,因为各种Kagome晶格系统中存在混合型费米表面(带有多边形货车爱好奇异性)。

arxiv:2305.18087v5 [cond-mat.str-el] 2024年4月4日

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